半导体制造和测量仪器
日立高新技术纳米技术统括本部介绍
为您介绍日立高新技术的半导体设备制造、评估、解析仪器。
半导体蚀刻系统9000系列
20纳米世代后的装置对精度和工艺要求非常高，如双重图案和3D构造，以及针对新材料相对应的高精密度复杂制程要求，包含后道处理和形成保护膜等。为了对应这类下一代器件工艺，半导体蚀刻装置9000系列统一了接口并且能够搭载高精度模块化的各种腔室，从而实现了对应先进器件的扩展性和柔软性的工艺。
高解析度FEB测量装置CS4800
适用于对应4、6、8英寸晶圆的测量SEM
高速缺陷观测设备CR7300(Defect Review SEM)
运用ADR和高精度ADC来为提高良率做贡献的Inline缺陷观测SEM。
缺陷形貌检测SEM CT1000
通过缺陷和图案形状的3D观察有助于缩短G&C 产品开发 TAT并提高的质量。
自动传送 Φ200 毫米或更小的Wafer后，可将其准确移动到关键图案位置或缺陷检查设备检测到的缺陷位置，并利用样品台倾斜功能进行3D SEM观察。
此外，还可利用元素分析功能（EDS：EDS：Energy Dispersive-X-ray Spectrometer）观测观察对象的组成元素。